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      Fabricante: Kingston

      MEMÓRIA 4GB 2666MHZ DDR4 NON-ECC CL19  DESKTOP - KVR26N19S6/4 I

      MEMORIA 4GB 2666MHZ DDR4 NON-ECC CL19  DESKTOP - KVR26N19S6/4 I

      SKU: KVR26N19S6/4 I

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      PN: KVR26N19S6/4 I
      Descrição: MEMÓRIA 4GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 Desktop

      KVR26N19S6/4
      4GB 1Rx16 512M x 64-Bit PC4-2666
      CL19 288-Pin DIMM

      Características:
      - Marca: Kingston
      - Modelo: KVR26N19S6/4


      Especificações:

      - Frequência de operação: 2666Mhz

      - CL (IDD): 19 ciclos

      - Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)

      - Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)

      - Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)

      - Potência Máxima de Operação – TBD W*

      - Classificação UL 94 V - 0

      - Temperatura de operação – 0oC a +85oC

      - Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC

      *A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM


      Características / Benefícios:

      - Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico

      - VDDQ = 1,2 V Típico

      - VPP = 2.5V Típico

      - VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V

      - Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara

      - Auto-atualização de baixa potência (LPASR)

      - Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados

      - Geração e calibração VREFDQ no DIE

      - Single Rank

      - EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2

      - 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada

      - Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)

      - BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)

      - Topologia fly-by

      - Comando de controle e barramento de endereços com terminação

      - PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)

      - Em conformidade com RoHS e sem halogênios


      Conteúdo da embalagem:
      - Memória Kingston 4GB

      PN: KVR26N19S6/4 I
      Descrição: MEMÓRIA 4GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 Desktop

      KVR26N19S6/4
      4GB 1Rx16 512M x 64-Bit PC4-2666
      CL19 288-Pin DIMM

      Características:
      - Marca: Kingston
      - Modelo: KVR26N19S6/4


      Especificações:

      - Frequência de operação: 2666Mhz

      - CL (IDD): 19 ciclos

      - Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)

      - Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)

      - Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)

      - Potência Máxima de Operação – TBD W*

      - Classificação UL 94 V - 0

      - Temperatura de operação – 0oC a +85oC

      - Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC

      *A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM


      Características / Benefícios:

      - Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico

      - VDDQ = 1,2 V Típico

      - VPP = 2.5V Típico

      - VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V

      - Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara

      - Auto-atualização de baixa potência (LPASR)

      - Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados

      - Geração e calibração VREFDQ no DIE

      - Single Rank

      - EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2

      - 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada

      - Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)

      - BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)

      - Topologia fly-by

      - Comando de controle e barramento de endereços com terminação

      - PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)

      - Em conformidade com RoHS e sem halogênios


      Conteúdo da embalagem:
      - Memória Kingston 4GB