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      Fabricante: Kingston

      MEMORIA KINGSTON 4GB DDR4 SOD

      MEMORIA KINGSTON 4GB DDR4 SOD

      SKU: KVR26S19S6/4 IN

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      KVR26S19S6 / 4 I
      4 GB 1Rx16 512 MB x 64 bits PC4-2666
      CL19 SODIMM de 260 pinos
      Continuação >>
      CARACTERÍSTICAS
      Este documento descreve o KVR26S19S6 / 4 do ValueRAM como
      512 M x 64 bits (4 GB) DDR4-2666 CL19 SDRAM (Síncrono
      DRAM), 1Rx16, módulo de memória, baseado em quatro 512M x 16-bit
      Componentes FBGA. O SPD está programado para o JEDEC
      latência padrão DDR4-2666 de latência de 19-19-19 a 1.2V. este
      O SODIMM de 260 pinos usa dedos de contato dourados. O elétrica e
      as especificações mecânicas são as seguintes:
      CL (IDD)
      Tempo de ciclo de linha (tRCmin)
      Atualizar para ativo / atualizar
      Tempo de Comando (tRFCmin)
      Tempo Ativo da Linha (tRASmin)
      Potência Máxima de Operação
      Avaliação UL
      Temperatura de operação
      Temperatura de armazenamento
      19 ciclos
      45,75 ns (min.)
      350ns (min.)
      32ns (min.)
      TBD W *
      94 V - 0
      0o
      C a + 85o
      C
      -55o
      C a + 100o
      C
      • Fonte de Alimentação: VDD = 1,2V Típico
      • VDDQ = 1,2 V Típico
      • VPP = 2.5V Típico
      • VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
      • Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para
      sinais de dados, strobe e máscara
      • Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
      • Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
      • Geração e calibração VREFDQ no momento
      • classificação única
      • EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2
      • 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
      • Corrida de pico fixa (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8
      através do conjunto de registro de modo (MRS)
      • selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
      • Topologia de sobrevoo
      • Comando de controle e barramento de endereços com terminação
      • PCB: Altura 1,18 ”(30,00 mm)
      • Compatível com RoHS e sem halogênio
      Documento No. VALU

      KVR26S19S6 / 4 I
      4 GB 1Rx16 512 MB x 64 bits PC4-2666
      CL19 SODIMM de 260 pinos
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      CARACTERÍSTICAS
      Este documento descreve o KVR26S19S6 / 4 do ValueRAM como
      512 M x 64 bits (4 GB) DDR4-2666 CL19 SDRAM (Síncrono
      DRAM), 1Rx16, módulo de memória, baseado em quatro 512M x 16-bit
      Componentes FBGA. O SPD está programado para o JEDEC
      latência padrão DDR4-2666 de latência de 19-19-19 a 1.2V. este
      O SODIMM de 260 pinos usa dedos de contato dourados. O elétrica e
      as especificações mecânicas são as seguintes:
      CL (IDD)
      Tempo de ciclo de linha (tRCmin)
      Atualizar para ativo / atualizar
      Tempo de Comando (tRFCmin)
      Tempo Ativo da Linha (tRASmin)
      Potência Máxima de Operação
      Avaliação UL
      Temperatura de operação
      Temperatura de armazenamento
      19 ciclos
      45,75 ns (min.)
      350ns (min.)
      32ns (min.)
      TBD W *
      94 V - 0
      0o
      C a + 85o
      C
      -55o
      C a + 100o
      C
      • Fonte de Alimentação: VDD = 1,2V Típico
      • VDDQ = 1,2 V Típico
      • VPP = 2.5V Típico
      • VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
      • Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para
      sinais de dados, strobe e máscara
      • Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
      • Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
      • Geração e calibração VREFDQ no momento
      • classificação única
      • EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2
      • 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
      • Corrida de pico fixa (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8
      através do conjunto de registro de modo (MRS)
      • selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
      • Topologia de sobrevoo
      • Comando de controle e barramento de endereços com terminação
      • PCB: Altura 1,18 ”(30,00 mm)
      • Compatível com RoHS e sem halogênio
      Documento No. VALU